Transphorm的第三代产品线再添两种GaN FET

新增的外面贴装器件知足了各类应用对于靠得住的高压GaN功能赓续增长的兴趣

晋升第三代平台有名的靠得住性

Transphorm的第三代器件于2018年6月推出，是当时市场上最高质量、最高靠得住性的[Q+R] GaN FET。它们与定制设计的低压MOSFET和GaN FET相配对，可供给：

• 更安静的切换
• 增长电流程度下的更高机能，以及起码的外部电路
• 更高的抗噪才能（4 V时的阈值电压）
• 更高的栅极稳健性(+/- 20 V)

第三代漏极和源极PQFN88封装包含更宽的引脚以进步板级靠得住性(BLR)，从而增长多层印刷电路板(PCB)设计的靠得住性。所供给的漏极和源极接头设备还可适应高侧和低侧开关地位。这在将大年夜焊盘焊接到非开关节点时，可供给更强的辐射抗扰度。此外，在现有的第三代TO-XXX FET产品中参加PQFN88器件，使工程师有机会应用Transphorm的最新技巧摸索GaN驱动的外面贴装应用。

Transphorm全球技巧营销和北美发卖副总裁Philip Zuk表示：“我们存眷的重点仍然是在进步GaN FET靠得住性的同时，供给更高的功率密度。跟着市场对高压GaN技巧的兴趣持续增长，我们还欲望为客户供给合适各类潜在应用的器件选择。我们在现有产品系列中推出72毫欧的源极和漏极PQFN88器件，这使我们可以或许同时知足这三个目标。”

高压GaN功率电子器件的采取率正在赓续上升。事实上，Transphorm已宣布稀有家拥有各类终端产品[例如：办事器和工业电源、游戏PC供给、便携式太阳能发电机等]的客户展示了该技巧的价值主意。

供给、订价和支撑

650 V TP65H070LSG和TP65H070LDG (72 mΩ) FET今朝每千片订量的报价为7.47美元。供给支撑的设计资本包含：

• TP65H070L系列数据表
• TP65H070L系列模型数据
• 1.2 kW半桥降压或升压评估套件[TDHBG1200DC100-KIT]
• TP65H070L半桥子卡[TDHB-65H070-DC]

• 推荐的实用于Transphorm GaN FET的外部电路应用解释

其他应用解释和设计指南可在器件的产品页面上找到：TP65H070LSG和TP65H070LDG。

关于Transphorm

Transphorm致力于为高压电源转换应用设计并制造最高机能、最高靠得住性的650伏与900伏氮化镓半导体。依托最大年夜的IP组合（1000多项已授权和申请中的专利），Transphorm器件是业界独一同时经由过程JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。

原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20190911005241/en/

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Heather Ailara

加州戈拉塔--(美国贸易资讯)--最高靠得住性高压(HV)氮化镓(GaN)半导体设计和制造的引导者Transphorm Inc.今天宣布推出其首款第三代PQFN88晶体管。新的650 V器件有TP65H070LSG（源极片）和TP65H070LDG（漏极片）两种版本，并供给72毫欧的导通电阻。

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